AP2306GN-HF-3

Symbol Micros: TAP2306gn-hf-3

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	5,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,38W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2306GN-HF-3 Pbf N6.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2686	0,1482	0,0981	0,0818	0,0767

Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2306GN-HF-3 RoHS N6.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2686	0,1482	0,0981	0,0818	0,0767

Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2306GN-HF-3TR RoHS N6.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

51000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2686	0,1482	0,0981	0,0818	0,0767

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	5,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,38W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD