AP2306GN-HF-3
Symbol Micros:
TAP2306gn-hf-3
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer: AP2306GN-HF-3 Pbf N6..
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2416 | 0,1332 | 0,0886 | 0,0738 | 0,0688 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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