AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP2309gn-hf-3
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 120 mOhm; 3,7A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2309GN; AP2309GN-HF; AP2309GN-HF-3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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