AP2311GN JGSEMI
Symbol Micros:
TAP2311gn-hf-3 JGS
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-25
Anzahl Stück: 500
| Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | JGSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
| Montage: | SMD |
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