AP2311GN JGSEMI

Symbol Micros: TAP2311gn-hf-3 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: AP2311GN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2625 0,1327 0,0802 0,0633 0,0584
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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