AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2314gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 125 mOhm; 3,5A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2314GN-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2245 0,1229 0,0807 0,0696 0,0641
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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