AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2320gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3773 0,2078 0,1634 0,1512 0,1450
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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