AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2334gn-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3184 0,1752 0,1380 0,1276 0,1224
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 5,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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