AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP2N7002k-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 450mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP2N7002K-HF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1792 0,0852 0,0479 0,0363 0,0326
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 450mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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