AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4435gj
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 44,6W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP4435GJ-HF RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6636 0,4174 0,3447 0,3072 0,2884
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 44,6W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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