AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4501agm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP4501AGM RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
125 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4050 0,2645 0,1903 0,1664 0,1559
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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