AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP4800dgm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP4800DGM-HF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3560 0,2327 0,1668 0,1459 0,1368
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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