AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP6679gh-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 75A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP6679GH-HF-3 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8561 0,5377 0,4457 0,3986 0,3726
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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