AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP72T03gh-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP72T03GH-HF-3 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5424 0,3019 0,2382 0,2236 0,2165
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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