AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP80n03gp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 83,3W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP80N03GP RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6214 0,3893 0,3048 0,2884 0,2697
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 83,3W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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