AP9435GG

Symbol Micros: TAP9435gg

Gehäuse: SOT-89

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT89
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9435GG-HF RoHS Gehäuse: SOT-89 Datenblatt

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150 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	40+	150+	600+
Nettopreis (EUR)	0,4484	0,2925	0,2156	0,1856	0,1726

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT89
Hersteller:	Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD