AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9435gk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9435GK RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6282 0,3946 0,3269 0,2919 0,2732
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole