AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9563gh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9563GH RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3993 0,2615 0,1878 0,1642 0,1539
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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