AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9563gj
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9563GJ RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 80+ 160+ 800+
Nettopreis (EUR) 0,4437 0,2685 0,1966 0,1875 0,1770
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Standard-Verpackung:
80/160
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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