AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9567gh-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9567GH RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
380 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4438 0,2463 0,1938 0,1759 0,1703
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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