AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9977gh-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9977GH-HF-3 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
240 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4717 0,2826 0,2165 0,1950 0,1882
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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