AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Symbol Micros: TAP9997gk-hf-3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9997GK-HF-3 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
285 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,6131 0,3861 0,3042 0,2761 0,2667
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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