APT68GA60LD40
Symbol Micros:
TAPT68ga60ld40
Gehäuse: TO264
IGBT-Transistor; PT; 600V; 300V; 198 nC; 68A; 520 W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 68A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 520W |
| Gehäuse: | TO264 |
| Hersteller: | MICROCHIP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | IGBT |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7Ohm |
| Max. Drainstrom: | 68A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 520W |
| Gehäuse: | TO264 |
| Hersteller: | MICROCHIP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | IGBT |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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