AUIRF7416QTR International Rectifier

Symbol Micros: TAUIRF7416q
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRF7416QTR RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5132 1,0578 0,8710 0,8103 0,7963
Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole