AUIRF9Z34N International Rectifier

Symbol Micros: TAUIRF9Z34n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: AUIRF9Z34N RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4595 1,0205 0,8383 0,7800 0,7683
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO-220AB
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT