BC109B

Symbol Micros: TBC109b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 18
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NPN 100mA 30V 300mW 150MHz NPN 100mA 30V 300mW 150MHz
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC109B RoHS Gehäuse: TO 18 Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5641 0,3380 0,2587 0,2331 0,2254
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN

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