BC109B

Symbol Micros: TBC109b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 18
Transistor NPN; 450; 300mW; 25V; 200mA; 150MHz; -65°C ~ 200°C; Ersatz: BC109B-CDI;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC109B RoHS Gehäuse: TO 18 Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5635 0,3376 0,2585 0,2329 0,2252
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN