BC109C

Symbol Micros: TBC109c

Gehäuse: TO 18

NPN 100mA 30V 300mW 150MHz NPN 100mA 30V 300mW 150MHz

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V

Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC109C RoHS Gehäuse: TO 18 Datenblatt

Auf Lager:

880 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5896	0,3561	0,2736	0,2476	0,2354

Verlustleistung:	300mW
Grenzfrequenz:	150MHz
Stromverstärkungsfaktor:	800
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO 18
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	NPN