BC212B

Symbol Micros: TBC212b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 120
Grenzfrequenz: 280MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1156 0,0529 0,0287 0,0213 0,0193
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 48+ 288+ 1680+
Nettopreis (EUR) 0,1156 0,0762 0,0361 0,0228 0,0193
Standard-Verpackung:
48
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1156 0,0441 0,0261 0,0208 0,0193
Standard-Verpackung:
6
Verlustleistung: 350mW
Stromverstärkungsfaktor: 120
Grenzfrequenz: 280MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP