BC212B

Symbol Micros: TBC212b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB

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Parameter
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 280MHz
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1165 0,0533 0,0289 0,0215 0,0194
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 5+ 10+ 48+ 288+ 1680+
Nettopreis (EUR) 0,1165 0,0768 0,0364 0,0229 0,0194
Standard-Verpackung:
48
Hersteller: CDIL Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1165 0,0444 0,0263 0,0209 0,0194
Standard-Verpackung:
6
Verlustleistung: 350mW
Grenzfrequenz: 280MHz
Stromverstärkungsfaktor: 120
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP