BC212B
Symbol Micros:
TBC212b
Gehäuse: TO92
Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB Transistor PNP Bipolar 50V 100mA 350/1W 10dB
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Parameter
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 280MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 120 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: CDIL
Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1165 | 0,0533 | 0,0289 | 0,0215 | 0,0194 |
Hersteller: CDIL
Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 10+ | 48+ | 288+ | 1680+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1165 | 0,0768 | 0,0364 | 0,0229 | 0,0194 |
Hersteller: CDIL
Hersteller-Teilenummer: BC212B RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 150+ | 750+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1165 | 0,0444 | 0,0263 | 0,0209 | 0,0194 |
Verlustleistung: | 350mW |
Grenzfrequenz: | 280MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 120 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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