BC327-25

Symbol Micros: TBC32725
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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PNP 800mA 45V 625mW 100MHz 160 < beta < 400 PNP 800mA 45V 625mW 100MHz 160 < beta < 400

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Parameter
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 260MHz
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC327-25 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0801 0,0320 0,0171 0,0132 0,0123
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC327-25 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0801 0,0320 0,0171 0,0132 0,0123
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Standard-Verpackung:
1000/10000/20000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC327-25 RoHS Gehäuse: TO92 Datenblatt
Auf Lager:
652 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Nettopreis (EUR) 0,0801 0,0320 0,0171 0,0132 0,0123
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Standard-Verpackung:
100/6600
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 260MHz
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 800mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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