BC517 LGE

Symbol Micros: TBC517 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92bul
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darl.NPN 30V 1.2A 625mW darl.NPN 30V 1.2A 625mW

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Parameter
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 30000
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC517 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
950 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1773 0,0710 0,0414 0,0343 0,0322
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Standard-Verpackung:
1000/11000
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 30000
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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