BC550B

Symbol Micros: TBC550b c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor NPN; Bipolar; 800; 45V; 6V; 150MHz; 100mA; 625mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 800; 45V; 6V; 150MHz; 100mA; 625mW; -55°C~150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC550B RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0865 0,0341 0,0201 0,0147 0,0133
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000/2000
Verlustleistung: 625mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 150MHz
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole