BC550B

Symbol Micros: TBC550b c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Transistor NPN; Bipolar; 800; 45V; 6V; 150MHz; 100mA; 625mW; -55°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC550B RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
1200 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,0866 0,0342 0,0201 0,0148 0,0133
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Verlustleistung: 625mW
Grenzfrequenz: 150MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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