BC637

Symbol Micros: TBC637

Gehäuse: TO92

NPN 1A 60V 800mW 150MHz NPN 1A 60V 800mW 150MHz

Parameter

Verlustleistung:	800mW
Grenzfrequenz:	200MHz
Stromverstärkungsfaktor:	160
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC637 RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

700 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1413	0,0540	0,0304	0,0252	0,0236

Verlustleistung:	800mW
Grenzfrequenz:	200MHz
Stromverstärkungsfaktor:	160
Hersteller:	CDIL
Gehäuse:	TO92bul
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN