BC639-16 LGE

Symbol Micros: TBC63916

Gehäuse: TO92

NPN 1A 80V 800mW 150MHz NPN 1A 80V 800mW 150MHz

Parameter

Verlustleistung:	625mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO92
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC639-16 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1413	0,0540	0,0304	0,0252	0,0236

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BC639-16 RoHS Gehäuse: TO92amm Datenblatt

Auf Lager:

7700 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1413	0,0540	0,0304	0,0252	0,0236

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC63916-D27Z Gehäuse: TO92

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0985

Verlustleistung:	625mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Stromverstärkungsfaktor:	250
Hersteller:	LGE
Gehäuse:	TO92
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN