BC640

Symbol Micros: TBC640

Gehäuse: TO92

Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	830mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO92
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS Gehäuse: TO92

Auf Lager:

1800 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2230	0,1117	0,0665	0,0550	0,0496

Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS Gehäuse: TO92

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2230	0,1117	0,0665	0,0550	0,0496

Verlustleistung:	830mW
Grenzfrequenz:	100MHz
Hersteller:	LGE
Stromverstärkungsfaktor:	250
Gehäuse:	TO92
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP