BC640
Symbol Micros:
TBC640
Gehäuse: TO92
Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 250; 830mW; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Verlustleistung: | 830mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | LGE |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: MIC
Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2199 | 0,1102 | 0,0655 | 0,0543 | 0,0489 |
Hersteller: MIC
Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS
Gehäuse: TO92
Auf Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2199 | 0,1102 | 0,0655 | 0,0543 | 0,0489 |
Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
Hersteller-Teilenummer: BC640 RoHS
Gehäuse: TO92
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2199 | 0,1102 | 0,0655 | 0,0543 | 0,0489 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC640TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
4591 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0994 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC640TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0944 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC640TA
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1253 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-12-23
Anzahl Stück: 2000
Verlustleistung: | 830mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 250 |
Hersteller: | LGE |
Gehäuse: | TO92 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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