BC807W,115

Symbol Micros: TBC807 w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A Automotive 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 80MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: NXP
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC807W,115 RoHS 5D* Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
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Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0995 0,0395 0,0232 0,0171 0,0153
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 80MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: NXP
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP