BC807-25 JSMICRO

Symbol Micros: TBC80725 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 400; 300mW; 45V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC807-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0650 0,0252 0,0122 0,0097 0,0093
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 200MHz
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP