BC807-25 (printed BC807-40 on Units)

Symbol Micros: TBC80725 re-ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 80MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC807-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
402000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0335 0,0123 0,0065 0,0048 0,0045
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC807-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2129 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0335 0,0123 0,0065 0,0048 0,0045
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2998
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 80MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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