BC807-25Q

Symbol Micros: TBC80725Q YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
PNP Transistor; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; PNP Transistor; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: Yangzhou Yangjie
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: BC807-25Q RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0802 0,0316 0,0185 0,0135 0,0123
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: Yangzhou Yangjie
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP