BC807-40 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC80740 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC807-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0634 0,0245 0,0119 0,0095 0,0091
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP