BC817-16 GALAXY

Symbol Micros: TBC81716 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 170MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC817-16 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0755 0,0290 0,0142 0,0113 0,0108
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Grenzfrequenz: 170MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN