BC817-16 GALAXY

Symbol Micros: TBC81716 GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN-Transistor; 250; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16LT1G; BC817-16LT3G; BC817-16 RFG; BC817-16-7-F; BC817-16-TP;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC817-16 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1900 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0758 0,0291 0,0142 0,0113 0,0108
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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