BC817-16LT1G ON
Symbol Micros:
TBC81716 ON
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 180 |
Hersteller: | ONSEMI |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Auf Lager:
224 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1078 | 0,0493 | 0,0269 | 0,0201 | 0,0179 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT3G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück | 20000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0179 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-16LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
138000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0179 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 180 |
Hersteller: | ONSEMI |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole