BC817-25 GALAXY

Symbol Micros: TBC81725 GAL
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 170MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC817-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0803 0,0311 0,0151 0,0120 0,0115
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 170MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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