BC817-25LT1G ONS

Symbol Micros: TBC81725 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Nettopreis (EUR) 0,1024 0,0408 0,0205 0,0164 0,0158
Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT3G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
80000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0158
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
93000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0158
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN