BC817-25LT1G ONS
Symbol Micros:
TBC81725 ONS
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 9000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1024 | 0,0408 | 0,0205 | 0,0164 | 0,0158 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT3G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
80000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0158 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
93000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0158 |
Verlustleistung: | 300mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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