BC817-25LT1G ONS

Symbol Micros: TBC81725 ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23 Transistor NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 45 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BC817-25LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1091 0,0501 0,0273 0,0204 0,0182
Standard-Verpackung:
3000/9000
Verlustleistung: 300mW
Stromverstärkungsfaktor: 400
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN