BC817-25 (printed BC817-40 on Units)
Symbol Micros:
TBC81725 re-ex
Gehäuse: SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1263000 stk.
Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 2650+ | 13250+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0377 | 0,0137 | 0,0073 | 0,0055 | 0,0050 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 400 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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