BC817-25 (printed BC817-40 on Units)

Symbol Micros: TBC81725 re-ex
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1 V
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1263000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 2650+ 13250+
Nettopreis (EUR) 0,0377 0,0137 0,0073 0,0055 0,0050
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 300+ 1000+ 2990+
Nettopreis (EUR) 0,0417 0,0148 0,0090 0,0065 0,0055
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2990
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 300+ 1000+ 2980+
Nettopreis (EUR) 0,0377 0,0135 0,0082 0,0058 0,0050
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
2980
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN