BC817-40LT1G

Symbol Micros: TBC81740 ONS

Gehäuse: SOT23-3

Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Parameter

Verlustleistung:	225mW
Stromverstärkungsfaktor:	600
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz:	100MHz
Gehäuse:	SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Verlustleistung:	225mW
Stromverstärkungsfaktor:	600
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz:	100MHz
Gehäuse:	SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]:	500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN