BC817W

Symbol Micros: TBC817w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 500mA 45V 200mW 100MHz 100 < beta < 600 NPN 500mA 45V 200mW 100MHz 100 < beta < 600

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Parameter
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817W,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1276 0,0584 0,0318 0,0238 0,0213
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Ausführliche Beschreibung

Producent: NXP Semiconductors
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 45V
Prąd kolektora: 500mA
Obudowa: SOT323

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