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BC847BS GALAXY

Symbol Micros: TBC847bs GAL

Gehäuse: SOT363

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Transistor 2xNPN; 450; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;

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Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Stromverstärkungsfaktor:	450
Hersteller:	GALAXY
Grenzfrequenz:	200MHz
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Stromverstärkungsfaktor:	450
Hersteller:	GALAXY
Grenzfrequenz:	200MHz
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	2xNPN

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1561	0,0741	0,0417	0,0316	0,0284

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1055	0,0483	0,0263	0,0197	0,0176

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1052	0,0415	0,0241	0,0177	0,0162

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1022	0,0403	0,0234	0,0172	0,0157

BC847BS GALAXY

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