BC847BTT1G
Symbol Micros:
TBC847bt
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SC75-3 (SOT416) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC847BTT1G RoHS
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1222 | 0,0561 | 0,0304 | 0,0228 | 0,0204 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BC847BTT1G
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Externes Lager:
258000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0204 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SC75-3 (SOT416) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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