BC847BW-Q
Symbol Micros:
TBC847BWQ YY
Gehäuse: SOT323
Transistor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Hersteller: | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Hersteller: | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Grenzfrequenz: | 150MHz |
| Gehäuse: | SOT323 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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