BC847CE6327 INF
Symbol Micros:
TBC847c inf
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
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Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1200 | 0,0549 | 0,0300 | 0,0224 | 0,0200 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
87000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0253 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847CE6433HTMA1
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0253 |
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 800 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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