BC847CE6327 INF

Symbol Micros: TBC847c inf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847CE6327 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1245 0,0570 0,0311 0,0232 0,0207
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 800
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN