BC847DW

Symbol Micros: TBC847dw c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Transistor PNP; Bipolar; 6V; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 6V; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: CBI
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: CBI Hersteller-Teilenummer: BC847DW 1Ft RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1696 0,0678 0,0395 0,0329 0,0308
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 800
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: CBI
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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