BC847PN-7-F

Symbol Micros: TBC847PN-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R Transistor GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1674 0,0795 0,0448 0,0340 0,0304
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
6600000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0304
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BC847PN-7-F Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
93000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0304
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP